Desi noile module de memorie DDR4 sunt programate sa apara pe piata abia la inceputul anului 2012, cei de la Samsung ne-au demonstrat ca pot lucra chiar si cu viteza luminii. Samsung tocmai ce a anuntat ca a dus la bun sfarsit procesul de dezvoltare al noi tehnologii DDR4 DRAM.

Pe langa faptul ca vor fi mai rapide decat predecesoarele lor, DDR3-urile, noile module vor avea de asemenea un consum mai redus de energie. Pentru a obtine acest nivel scazut al consumului, cei de la Samsung au folosit procesul tehnologic de 30 nanometri.

Iar daca va intrebati cu cat sunt mai rapide noile memorii fata de actualele DDR3-uri, ei bine, ratele de transfer pot atinge 2.133Gbps la 1.2V, comparativ cu cele ale DDR3-urilor care au viteze de pana la 1.6Gbps, fie la 1.35V fie la 1.5V.

Modulele sunt construite pe o noua arhitectura, care le ajuta sa faca saltul de la 1.6Gbps la 3.2Gbps. In plus, cand sunt folosite pe notebook-uri, noile memorii DDR4 reduc consumul de energie cu pana la 40%.

Noile module folosesc tehnologia Pseudo Open Drain (POD), un nou procedeu care a fost adaptat graficelor DRAM de inalta performanta, astfel incat sa permita noile produse sa consume jumatate din energia folosita de actualele DDR3-uri cand citesc sau scriu date.

In prezent, Samsung colaboreaza cu o serie de producatori de servere, pentru ca pana in a doua jumatate a acestui an sa termine strandardizarea tehnologiilor DDR4.


Articol original: www.hit.ro