IBM a anunţat un nou tip de memorie non-volatilă , capabilă să atingă viteze de 100 de ori mai mari decât memoria NAND Flash tradiţională, la operaţiile de scriere şi citire a datelor.

Acest tip de memorie este bazat pe o variaţie a tehnologiei phase change ( PCM), al cărei principiu de funcţionare presupune aplicarea unei mici sarcini electrice asupra unui aliaj format din materiale cu proprietăţi speciale, prin care acesta este încălzit şi trecut fie în stare cristalină, sau amorfă.

Noua stare de agregare este menţinută chiar şi în lipsa alimentării cu energie electrică şi poate fi folosită pentru interpretarea în sistem binar a valorii 1 sau 0.

Versiuni mai avansate ale tehnologiei phase change permit memorarea a până la patru stări distincte, dublând practic densitatea de stocare. Citirea informaţiilor este făcută aplicând un curent electric cu intensitate redusă şi măsurând apoi conductivitatea fiecărei celule - redusă în stare amorfă şi crescută în stare cristalină.

Dacă până acum o serie de limitări tehnologice, care duceau la pierderea informaţiilor înregistrate după o anumită perioadă de timp, au împiedicat folosirea acestui tip de memorie pentru produse de larg consum, cercetătorii de la IBM au reuşit să depăşească aceste probleme şi chiar au îmbunătăţit considerabil densitatea de stocare a datelor.

IBM a demonstrat viabilitatea propriei versiuni a tehnologiei phase change cu un prototip funcţional al unui chip de memorie. Pe lângă viteze de transfer comparabile unui modul de memorie RAM, noile chip-uri de memorie au avantajul unei fiabilităţi mult îmbunătăţite, rezistând la cel puţin 10 milioane de cicluri scriere/citire, spre deosebire de doar câteva mii în cazul memoriei NAND Flash.

Latenţele la accesarea datelor sunt mai mici de 10 microsecunde, sporul de performanţă la acest capitol fiind de aproximativ 100 de ori, dacă luăm spre comparaţie cele mai avansate memorii NAND Flash existente pe piaţă.

Chip-ul prototip demonstrat de IBM este fabricat în proces CMOS pe 90 nm şi conţine doar 200.000 de celule pentru înmagazinarea informaţiilor. Rămâne de văzut dacă chip-urile de memorie PCM vor fi superioare celor NAND Flash şi în privinţa costurilor de fabricaţie, sau densitatea de stocare a informaţiei, ambele fiind condiţii esenţiale pentru asigurarea succesului pe piaţa dispozitivelor SSD şi nu numai.


Sursa: www.go4it.ro